5 月 25
この記事自体に異論やコメントが数多く出ているが、まあ、どっちにしても新しい技術への探求が行われており、昨今続いているハードディスクによる記憶から不揮発性メモリーへの期待は、大きいことに代わりはない。
1億回以上の書き換え耐性を持ち（従来は約1万回）、書き込み電圧は6V以下になるという（従来は20V）。また浮遊ゲートが存在しないため、セル間の容 量結合ノイズが生じない等の理由により、微細化にも強く、将来の20nmや10nmプロセスにも対応すると期待される。どうやら、SSDの未来は明るそう だ。
スラッシュドット・ジャパン | 1億回以上書き換え可能なFe-NANDフラッシュメモリ
最近のコメント